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高精度、高穩定性、低泄漏、耐腐蝕、超高純氣體、快速響應、數字顯示、RS485 通訊、MFC 質量流量控制、CVD/PECVD/ALD 適用、半導體級、防爆、長壽命,
超高精度 ±0.2%~±0.5% FS,重復性≤±0.1%,精準匹配 CVD/PECVD/ALD 薄膜沉積工藝,保障膜厚均勻與批次一致性。
超高純氣體適配流道316L EP/BA 級電解拋光無吸附、無殘留;泄漏率≤1×10?? atm?cc/s,滿足半導體 ppb 級超高純氣體輸送要求。
強耐腐蝕設計關鍵部件選用哈氏合金兼容硅烷、氨氣、氟化物、氯化物等強腐蝕特氣,延長設備壽命、降低維護成本。
微小流量穩定控制支持sccm 級微量控制,低流量不抖動、不斷流,適配薄膜沉積、原子層沉積等精密成膜工藝。
毫秒級快速響應響應時間 **≤1ms**,快速跟隨工藝設定,抑制壓力 / 溫度波動,提升成膜效率與良率。
全金屬密封?安全可靠焊接 / VCR 金屬密封結構,無老化、無泄漏,適配易燃易爆 / 有毒特種氣體,滿足半導體安全標準。
智能數字通訊標配RS485/Modbus,支持遠程控制、數據追溯,無縫對接 DCS/PLC 自動化系統。
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